标称容量和允许误差:电容器储存电荷的能力,常用的单位是F、μF、pF。电容器上标有的电容数是电容器的标称容量。电容器的标称容量和它的实际容量会有误差。常用固定电容允许误差的等级见表2。常用固定电容的标称容量系列见表3。一般,电容器上都直接写出其容量,也有用数字来标志容量的,通常在容量小于10000pF的时候,用pF做单位,大于10000pF的时候,用μF做单位。为了简便起见,大于100pF而小于1μF的电容常常不注单位。没有小数点的,它的单位是pF,有小数点的,它的单位是μF。如有的电容上标有“332”(3300pF)三位有效数字,左起两位给出电容量的第一、二位数字,而第三位数字则表示在后加0的个数,单位是pF。
表1 常用固定电容允许误差的等级
| 允许误差 |
±2% |
±5% |
±10% |
±20% |
(+20%-30%) |
(+50%-20%) |
(+100%-10%) |
| 级别 |
02 |
Ⅰ |
Ⅱ |
Ⅲ |
Ⅳ |
Ⅴ |
Ⅵ |
额定工作电压:在规定的工作温度范围内,电容长期可靠地工作,它能承受的最大直流电压,就是电容的耐压,也叫做电容的直流工作电压。如果在交流电路中,要注意所加的交流电压最大值不能超过电容的直流工作电压值。
表2 常用固定电容的直流电压系列(有"*"的数值只限电解电容使用)
| 1.6 |
4 |
6.3 |
10 |
16 |
25 |
32* |
40 |
50 |
63 |
| 100 |
125* |
160 |
250 |
300* |
400 |
450* |
500 |
630 |
1000 |
表3 常用固定电容的标称容量系列
| 电容类别 |
允许误差 |
容量范围 |
标称容量系列 |
| 纸介电容、金属化纸介电容、纸膜复合介质电容、低频(有极性)有机薄膜介质电容 |
±5%
±10%
±20% |
100pF~1μF |
1.0 1.5 2.2 3.3 4.7 6.8 |
| 1μF~100μF |
1 2 4 6 8 10 15 20 30 50 60 80 100 |
| 高频(无极性)有机薄膜介质电容、瓷介电容、玻璃釉电容、云母电容 |
±5% |
1pF~1μF |
1.1 1.2 1.3 1.5 1.6 1.8 2.0 2.4 2.7 3.0 3.3 3.6 3.9 4.3 4.7 5.1 5.6 6.2 6.8 7.5 8.2 9.1 |
| ±10% |
1.0 1.2 1.5 1.8 2.2 2.7 3.3 3.9 4.7 5.6 6.8 8.2 |
| ±20% |
1.0 1.5 2.2 3.3 4.7 6.8 |
| 铝、钽、铌、钛电解电容 |
±10%
±20%
+50/-20%
+100/-10% |
1μF~1000000μF |
1.0 1.5 2.2 3.3 4.7 6.8
(容量单位:μF) |
绝缘电阻:由于电容两极之间的介质不是绝对的绝缘体,它的电阻不是无限大,而是一个有限的数值,一般在1000兆欧以上,电容两极之间的电阻叫做绝缘电阻,或者叫做漏电电阻,大小是额定工作电压下的直流电压与通过电容的漏电流的比值。漏电电阻越小,漏电越严重。电容漏电会引起能量损耗,这种损耗不仅影响电容的寿命,而且会影响电路的工作。因此,漏电电阻越大越好。
介质损耗:电容器在电场作用下消耗的能量,通常用损耗功率和电容器的无功功率之比,即损耗角的正切值表示。损耗角越大,电容器的损耗越大,损耗角大的电容不适于高频情况下工作。
表4 常用电容的几项特性
| 电容种类 |
容量范围 |
直流工作电压(V) |
运用频率(MHz) |
准确度 |
漏电电阻(MΩ) |
| 中小型纸介电容 |
470pF~0.22μF |
63~630 |
<8 |
Ⅰ~Ⅲ |
>5000 |
| 金属壳密封纸介电容 |
0.01μF~10μF |
250~1600 |
直流,脉动直流 |
Ⅰ~Ⅲ |
>1000~5000 |
| 中小型金属化纸介电容 |
0.01μF~0.22μF |
160、250、400 |
<8 |
Ⅰ~Ⅲ |
>2000 |
| 金属壳密封金属化纸介电容 |
0.22μF~30μF |
160~1600 |
直流,脉动电流 |
Ⅰ~Ⅲ |
>30~5000 |
| 薄膜电容 |
3pF~0.1μF |
63~500 |
高频、低频 |
Ⅰ~Ⅲ |
>10000 |
| 云母电容 |
10pF~0.51μF |
100~7000 |
<75~250 |
02~Ⅲ |
>10000 |
| 瓷介电容 |
1pF~0.1μF |
63~630 |
低频、高频 |
02~Ⅲ |
>10000 |
| 铝电解电容 |
1μF~10000μF |
4~500 |
直流,脉动直流 |
Ⅳ Ⅴ |
|
| 钽、铌电解电容 |
0.47μF~1000μF |
6.3~160 |
直流,脉动直流 |
Ⅲ Ⅳ |
|
| 瓷介微调电容 |
2/7pF~7/25pF |
250~500 |
高频 |
|
>1000~10000 |
| 可变电容 |
7pF~1100pF |
>100 |
低频,高频 |
|
>500 |